级联H桥中压变流器并网电流低频谐波抑制方法
- 国民经济行业: 电力、热力、燃气及水生产和供应业／电力、热力生产和供应业／电力供应, 制造业／电气机械和器材制造业
- 权利人: 上海交通大学
- 意向合作模式: 转让, 许可, 入股
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本发明提供了一种级联H桥中压变流器并网电流低频谐波抑制方法，该方法，应用在网侧变流器中，所述网侧变流器包括：多个三相电压源型PWM子变流器；所述方法包括：在所述三相电压源型PWM子变流器的电压环控制回路中引入二阶变频陷波器来抑制直流母线波动电压引入的低频谐波。在不改变级联H桥式中压变流器系统拓扑结构的情况下，通过改变电压环控制回路来抑制功率模块直流母线电压波动对并网电流的影响，提高并网电流质量。
电流源型双馈变流器的容量优化方法
- 国民经济行业: 电力、热力、燃气及水生产和供应业／电力、热力生产和供应业／电力生产／风力发电, 制造业／电气机械和器材制造业
- 权利人: 上海交通大学
- 意向合作模式: 转让, 许可, 入股
- 知识产权简介:
本发明提供了一种电流源型双馈变流器的容量优化方法，包括：在电流源型双馈变流器的等效电路的转子侧并联转子电容；获取双馈电机的转子侧的电流分量和电压分量；根据双馈电机的转子侧的电流分量和电压分量，获取电流源型双馈变流器的转子侧的电容电流分量；将转子侧的电容电流分量简化为转子电容的一次函数，得到电流源型双馈变流器取最小电流值时，转子电容的容值；在电流源型双馈变流器的转子侧并联相应容值的转子电容。本发明通过在转子侧并联转子电容，从而协助电流源型双馈变流器进行换流，以及对转子电流进行了滤波处理。并且可以通过转子电容的优化设计使转子侧变流器电流减小，从而有效减小电流源型双馈变流器的容量。
立式间隙流动动力特性系数测试装置
- 国民经济行业: 电力、热力、燃气及水生产和供应业／电力、热力生产和供应业／电力生产／核力发电, 制造业／通用设备制造业
- 权利人: 上海交通大学
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本发明提供了一种立式间隙流动动力特性系数测试装置，包括自转驱动装置、涡动驱动装置、间隙流动循环管路以及测量装置，其中：自转驱动装置包括自转驱动电机、测试主轴、测试外筒、上轴承座以及下轴承座，自转驱动电机驱动测试主轴自转；测试主轴连接上轴承座和下轴承座；测试主轴贯穿测试外筒，测试主轴和测试外筒之间形成测试段间隙；测试段间隙连通间隙流动循环管路；测量装置设置于自转驱动装置上；涡动驱动装置包括涡动驱动电机、公转轴以及皮带轮装置，涡动驱动电机驱动公转轴转动；公转轴通过皮带轮驱动主轴产生涡动。本发明结构精密，设计精良，数据采集精度高；本发明通过调节偏心轴承座的齿轮改变偏心量，能够满足不同工况的测试要求。
一种基于无功环流控制的主动防凝露方法
- 国民经济行业: 电力、热力、燃气及水生产和供应业／电力、热力生产和供应业／电力生产／风力发电, 制造业／电气机械和器材制造业
- 权利人: 上海交通大学
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- 知识产权简介:
本发明提供一种基于无功环流控制的主动防凝露方法，所述方法针对双馈机型全封闭式风电变流器，包括：按照变流器柜内空气湿度及温度计算凝露点温度，并作为热控制闭环的温度设定值，热控制闭环输出经计算得到无功环流设定值；依据风功率变化情况进行基于无功环流的热控制，使柜内散热器等温度始终高于柜内空气的凝露点温度，从而防止了变流器柜内凝露的发生。本发明无需增加任何辅助装置，只需修改变流器的控制策略；基于双馈式感应发电机(DFIG)和变流器联合无功环流控制的损耗控制技术，动态响应快；温度控制精度高，特别柜内湿度非常大时，温差较小，该方法依然适合；该技术方案简单，不需要对变流器及机组进行改造，同时能够很好地实现防凝露。
环保型液体支撑二氧化碳分离膜
- 国民经济行业: 制造业／化学原料和化学制品制造业
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本发明公开了一种环保型液体支撑二氧化碳分离膜；所述分离膜由包括将多乙烯多胺、聚乙烯醇的混合物溶于水后涂布成膜的步骤的方法制备而得。与现有技术相比，本发明的液体支撑二氧化碳分离膜备过程中仅使用水为溶剂，无需溶剂回收且成膜温度较低。具有工艺简单，节能环保，无污染，成本低的优点。通过该方法得到的CO2分离膜对二氧化碳有很大的分离度和很高的分离选择性，同时还克服了传统离子液体分离膜支撑液体易流失的特点，有较好的机械强度，可用于工业废气CO2分离及天然气脱碳、脱酸处理。
一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法
- 国民经济行业: 制造业／金属制品业
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- 知识产权简介:
本发明提供一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法。本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.将MnFeCu三元合金作为靶材安装在磁控溅射设备的靶位上；b.将衬底置于真空室样品台上，抽真空至真空度为1.0×10 4Pa 5.0×10 4Pa，使衬底的温度为室温～700K，在溅射功率为60W～140W，靶材与衬底的间距为40mm 80mm的条件下溅射沉积MnFeCu薄膜，溅射完成后，在高真空下冷却至室温，即可制得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜。与现有技术相比，本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法简单，原材料成本低，使得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的生产成本低。
